삼성 실적 바닥 찍었다…HBM·엑시노스 등 반도체 하반기 전략 주목아시아경제 기사제공: 2025-07-08 10:32:08

삼성전자가 2분기에 사실상 '어닝쇼크'에 가까운 성적을 거둔 건 파운드리 부진이 이어지는 상황에서 1분기 실적을 견인했던 휴대전화마저 계절적 비수기로 실적이 하락한 영향이 컸다.
삼성전자는 다만 반도체 재고 충당금도 많이 쌓은 만큼 2분기를 바닥으로 보고 3분기엔 확실한 반등세를 보일 것으로 내다봤다.

삼성은 8일 잠정 발표에서 세부내역은 공개하지 않았지만, 사업부 전반이 만족할 수 없는 실적을 냈을 것으로 예상된다.
지난 1분기때 호실적을 견인했던 스마트폰이 비수기에 접어들었고 가전은 미국 관세의 영향이 본격적으로 시작되면서 수익보다 지출이 더 많았을 것으로 보인다.
반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)도 반등하지 못한 것으로 보인다.
증권가에선 이번 분기 DS의 영업이익을 1조원대 후반에서 2조원대 초반으로 추산한다.
지난해 2분기의 6조4500억원과 비교하면 부진하지만 지난 1분기의 1조1000억원보다는 다소 늘었을 것으로 보이는데, 이는 괄목할 만한 성과가 있어서라기보단 범용(레거시) D램의 수요 회복과 가격 상승의 덕택을 본 결과란 분석이 지배적이다.

삼성전자는 2분기에 악재를 모두 털고 하반기에 집중한다는 방침이다.
반도체 재고자산 충당금을 2분기에 높게 반영한 것도 결국 상반기에 부진한 요소를 모두 청산하겠다는 의미를 담은 것이라는 평가가 나온다.

다행히 메모리 반도체 가격은 최근 들어 오르면서 되살아나는 조짐을 보이고 있다.
시장조사업체 'D램익스체인지'에 따르면 지난달 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8)의 평균 고정거래가격은 전달보다 23.81% 급등한 2.60달러로 집계됐다.
4월 22.22%, 5월 27.27% 오른 데 이어 세달 연속 20% 이상의 급등세다.

SK하이닉스에 상대적으로 뒤처진 고대역폭메모리(HBM)에서도 삼성전자는 일부 기술 진전을 이뤘다.
6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4를 만드는 데 필요한 기반이라 할 수 있는 '1c 설계 공정 기반 D램'을 최근 개발한 것이다.
대량 생산이 가능한지 확인하는 내부 절차도 끝냈다.
1c는 현존하는 D램 메모리 공정 기술 중 최신이다.
10나노미터(1nm=1억 분의 1ｍ)급으로, 10나노급 공정 6단계(1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c) 중에서도 가장 미세하다.

삼성은 반도체 생산라인에 1c 공정을 적용하고 최신 D램을 만들기 시작할 방침인 것으로 전해진다.
이를 기반으로 HBM4도 개발해 시장에 내놓겠단 계획이다.
지난달엔 HBM4보다 앞선 세대인 HBM3E를 AMD와 브로드컴 등에 공급하기로 한 것으로 전해졌다.
삼성 관계자는 "개선된 HBM 제품이 고객별로 평가 및 출하가 진행되고 있다"고 밝혔다.

첨단 인공지능(AI)칩에 대한 대중(對中) 제재의 악영향과 라인 가동률 저하 등으로 부진했던 비메모리사업도 하반기부턴 활기를 보일 가능성이 있다.
특히 파운드리(반도체 위탁생산)가 힘을 내고 있다.
지난달 삼성전자는 스마트폰 애플리케이션프로세서(AP) '엑시노스 2500'을 회사 홈페이지를 통해 공개했다.
특히 제품 상태를 '대량 양산'으로 표기해 눈길을 끈다.
이는 칩을 대량으로 만들어낼 수 있을 만큼 수율이 올랐다는 걸 의미한다.
삼성은 엑시노스 2500을 신형 갤럭시 스마트폰 제품들에 탑재할 방침이다.
오는 9일 공개되는 폴더블폰 '갤럭시Z 플립7' 시리즈부터 승부를 띄운다.
플립7은 엑시노스 2500의 가능성을 확인하는 시험대가 될 것으로도 보인다.

다만 미국의 관세 영향은 하반기에도 삼성전자 실적의 변수가 될 전망이다.
도널드 트럼프 미국 대통령은 7일(현지시간) 이재명 대통령에게 보낸 서한에서 협상 진전이 없을 경우 8월1일 이후 25%의 상호관세를 부과하겠다고 밝혔다.
스마트폰과 가전이 영향권 안에 들어가는 셈이다.